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NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
300
V GS =
10 V
V GS = 6 V
T J = 25 ° C
350
300
V DS ≥ 10 V
250
200
5.5 V
250
200
150
100
5.0 V
150
100
T J = 25 ° C
50
0
0
1
2
3
4
4.5 V
5
50
0
2
3
T J = 125 ° C
4
T J = ? 55 ° C
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.008
0.006
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.0035
0.0030
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.004
0.002
0.0025
0.0020
0.000
4
6
8
10
0.0020
10
30
50
70
90
110
130
150
170
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
2.0
I D = 20 A
1.8 V GS = 10 V
1.6
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
10000
1.2
1.0
0.8
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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